Infineon パワー トランジスタ, タイプPチャンネル 40 V, 50 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD50P04P413ATMA1

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RS品番:
826-9109
メーカー型番:
IPD50P04P413ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

パワー トランジスタ

最大連続ドレイン電流Id

50A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

OptiMOS P

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

12.6mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.3V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

39nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

58W

動作温度 Max

175°C

長さ

6.5mm

規格 / 承認

RoHS

幅

6.22 mm

高さ

2.3mm

自動車規格

AEC-Q

RoHSステータス: 該当なし

Infineon OptiMOS ™ P チャネルパワーMOSFET


Infineon OptiMOS の機能 ™ P チャネルパワー MOSFET は、高品質の性能を発揮する強化機能を提供するように設計されています。超低スイッチング損失、オン状態抵抗、アバランシェ定格、自動車ソリューション向けの AEC 認定などの機能を備えています。DC-DC 、モータ制御、自動車、 eMobility などの用途に適しています。

エンハンスメントモード

アバランシェ定格

スイッチングロスと導電損失が低い

無鉛めっき、RoHS準拠

標準パッケージ

OptiMOS™ Pチャンネルシリーズ: -55 → +175 ℃の温度範囲

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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