Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, -40 V, -50 A, 10.6 mΩ, 45 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252
- RS品番:
- 258-3845
- メーカー型番:
- IPD50P04P4L11ATMA2
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 258-3845
- メーカー型番:
- IPD50P04P4L11ATMA2
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | -50A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | -40V | |
| シリーズ | IPD | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 10.6mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 58W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 45nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 5V | |
| 順方向電圧 Vf | -1V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | DIN IEC 68-1, RoHS | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id -50A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds -40V | ||
シリーズ IPD | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 10.6mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 58W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 45nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 5V | ||
順方向電圧 Vf -1V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 DIN IEC 68-1, RoHS | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon IPDシリーズMOSFET、ドレイン-ソース電圧40V、消費電力58W - IPD50P04P4L11ATMA2
このMOSFETは、表面実装アセンブリの高電流スイッチング用途向けのPチャンネルパワートランジスタです。幅広い周囲環境範囲で動作し、過酷な温度環境向けに設計されているため、耐熱性とコンパクトなパッケージが重要な用途に適しています。
特長および利点：
• 10.6mΩの低Rds(on)により、導通損失を低減
• -50Aの連続ドレイン電流により、高電流負荷に対応
• ゲート充電45nCにより、予測可能なスイッチングエネルギーを実現
• 最大Vgs 5Vにより、安全なゲート駆動制限を実現
• TO-252表面実装により、コンパクトな基板レイアウトを実現
• -50Aの連続ドレイン電流により、高電流負荷に対応
• ゲート充電45nCにより、予測可能なスイッチングエネルギーを実現
• 最大Vgs 5Vにより、安全なゲート駆動制限を実現
• TO-252表面実装により、コンパクトな基板レイアウトを実現
用途
• 自動車用配電モジュールに最適
• 高電流極性スイッチング回路に最適
• 拡張温度システムの熱管理に使用
• 車載電子機器のDC電源制御に使用可能
• 高電流極性スイッチング回路に最適
• 拡張温度システムの熱管理に使用
• 車載電子機器のDC電源制御に使用可能
どのような極端な温度に耐えられますか?
定格動作温度範囲は-55°C～175°Cです。
どのようなパッケージと取り付けタイプを使用しますか?
表面実装用のTO-252パッケージで提供されます。
このデバイスは高出力条件下でどのように性能を発揮しますか?
最大58Wの消費電力を実現し、適切な熱管理で持続的な電力処理を可能にします。
ドレインソース間電圧とゲートドライブに制限はありますか?
このデバイスは、最大ドレインソース電圧-40V、最大ゲートソース5Vを指定しています。
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