Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 80 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, IPB054N08N3GATMA1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋10個入り) 小計：*

￥2,590.00

(税抜)

￥2,849.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 6,190 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
10 - 40￥259.00￥2,590
50 - 440￥254.10￥2,541
450 - 590￥244.30￥2,443
600 - 790￥240.70￥2,407
800 +￥233.40￥2,334

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
826-9178
メーカー型番:
IPB054N08N3GATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

80A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

OptiMOS 3

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

9.9mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

150W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

52nC

動作温度 Max

175°C

長さ

10.31mm

規格 / 承認

No

幅

9.45 mm

高さ

4.57mm

自動車規格

なし

RoHSステータス: 該当なし

Infineon OptiMOS ™ 3 パワー MOSFET 、 60 ～ 80V


OptiMOS ™製品は、最も過酷な用途に応える高性能パッケージで提供されており、限られたスペースで最大限の柔軟性を発揮します。これらのInfineon製品は、コンピューティングアプリケーションにおける先進的な次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件を満たし、そして、上回るように設計されています。

SMPS 用の高速スイッチング MOSFET

DC/DCコンバータ用に最適化された技術

対象用途に対してJEDEC1に適合

Nチャンネル・ロジックレベル

優れたゲート電荷量 x R DS(on)製品(FOM)

超低オン抵抗 R DS(on)

鉛フリーめっき

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

関連ページ