Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 100 V, 80 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, IPB065N10N3GATMA1

ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋5個入り) 小計:*

¥2,537.00

(税抜)

¥2,790.70

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 865 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
5 - 5¥507.40¥2,537
10 - 95¥462.40¥2,312
100 - 245¥416.80¥2,084
250 - 495¥371.60¥1,858
500 +¥325.40¥1,627

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
220-7383
メーカー型番:
IPB065N10N3GATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFETおよびダイオード

最大連続ドレイン電流Id

80A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

OptiMOS 3

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

6.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon 100 V OptiMOS パワー MOSFET は、高効率、高電力密度 SMPS の優れたソリューションとなっています。このファミリは、次善の技術と比較して、 R DS ( on )と性能指数の両方で 30 % の削減を達成しています。

優れたスイッチング性能

世界最低クラスの R DS ( on )

非常に低いQ gとQ gd

優れたゲート電荷xR DS(on)製品(FOM)

環境に優しい製品

効率向上

最高レベルの電力密度

並列化の必要性を低減

最小の基板スペース消費

設計が容易な製品

関連ページ