Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 40 V, 6.2 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSOIC, IRF7241TRPBF

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RS品番:
826-8844
メーカー型番:
IRF7241TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

6.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

SOIC

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

70mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

53nC

順方向電圧 Vf

-1.2V

最大許容損失Pd

2.5W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

高さ

1.5mm

幅

4 mm

長さ

5mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流6.2A、最大許容損失2.5W - IRF7241TRPBF


このMOSFETは、電子回路における効率的な電力管理のために設計されている。Pチャンネル構成で、連続ドレイン電流能力は6.2Aであり、様々なアプリケーションに適している。エンハンスメント・モードでの動作は、さまざまな電子機器への適応性をさらに高め、オートメーションや電気システムに不可欠なコンポーネントとなっている。

特徴と利点


• 最大ドレイン・ソース間電圧40Vに対応し、強力な性能を発揮

• 70mΩの低オン抵抗で効率を高め、発熱を最小化

• 最高使用温度+150℃に耐える

• 幅広いゲート電圧範囲により、柔軟な設計統合が可能

• シングル・トランジスタ構成により、回路レイアウトの簡素化と省スペース化を実現

• 10Vで53nCの典型的なゲート電荷により、素早いスイッチングが可能

用途


• オートメーション用電源管理システム

• 家電製品の負荷駆動に最適

• 電力変換および調整回路に使用

• 様々な電気産業に組み込まれている

• モーター制御および産業オートメーションシステムに統合

RDS(on)の測定値が低いことの意味は？


RDS(on)の測定値が低いということは、動作中の電力損失が少ないことを示し、効率の向上と発熱の低減につながる。

最大ゲート・ソース間電圧は性能にどのように影響しますか？


最大ゲート・ソース間電圧範囲により、さまざまなドライバ回路との互換性が広がり、さまざまな動作条件で信頼性の高いスイッチングを実現します。

設置の際にはどのような注意が必要ですか？


適切な熱管理を行い、動作条件が指定された最大定格内（特に電圧と温度）に収まっていることを確認する。

エンハンスメント・モードの動作は回路設計にどのような影響を与えるのか？


エンハンスメント・モード動作は、ゲート電圧がゼロのときにトランジスタがオフになることを意味し、スタンバイ時の消費電力を抑え、回路全体の信頼性を高める。

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