Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 161 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IRLR7843TRPBF

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RS品番:
830-3382
メーカー型番:
IRLR7843TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

161A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

4mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

140W

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

34nC

動作温度 Max

175°C

幅

6.22 mm

規格 / 承認

No

長さ

6.73mm

高さ

2.39mm

自動車規格

なし

Distrelec Product Id

304-37-849

インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流161A、最大消費電力140W - IRLR7843TRPBF


このMOSFETは、電気・電子分野の高性能アプリケーション向けに調整されており、特に自動車や産業界のニーズに適しています。そのHEXFET技術は、優れた効率と信頼性を保証し、高周波同期降圧コンバータや絶縁型DC-DCコンバータに理想的です。このデバイスは電力損失を効果的に管理し、電子システムの性能を向上させる。

特徴と利点


• 極めて低いRDS(on)が電力損失と効率を最適化

• 高い連続ドレイン電流定格は、集中的なアプリケーションをサポート

• 性能を保証するために高温に耐える設計

• 環境に配慮した設計基準を満たす鉛フリー構造

• 低ゲート電荷が回路のスイッチング動作を改善

用途


• 高周波同期降圧コンバータに使用

• 通信システム用絶縁型DC-DCコンバータに採用

• 車載用パワーマネジメントシステムに対応

• 高効率を必要とする産業用電源に最適

• コンピューター・プロセッサーの電力調整に最適

典型的な熱性能特性は？


最大動作温度は+175℃で、ジャンクション温度から周囲温度までの熱抵抗は50℃/Wであり、熱環境において効果的な性能を発揮する。

低RDS(on)は回路設計全体にどのような影響を与えますか？


低RDS(on)は伝導損失を低減し、高性能設計に不可欠な、負荷条件が変化する場合の効率改善につながる。

パルス電流を効果的に扱えるか？


また、最大620Aのパルスドレイン電流に対応し、動的負荷下での動作信頼性を確保します。

このコンポーネントと互換性のある取り付け方法は？


DPAKパッケージの表面実装部品として、自動組立工程に適している。

自動車用途に適していますか？


ドレイン・ソース間最大定格電圧30Vを含むその仕様は、車載用電源システムに適している。

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