Infineon MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 99 A, 8.3 mΩ, 49 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252
- RS品番:
- 830-3372
- メーカー型番:
- IRLR3636TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 830-3372
- メーカー型番:
- IRLR3636TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 99A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 8.3mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 143W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 49nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -16V, +16V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 幅 | 6.22mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 2.39mm | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 99A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 8.3mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 143W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 49nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -16V, +16V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
幅 6.22mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 2.39mm | ||
長さ 6.73mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
インフィニオン HEXFETシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 60V、最大連続ドレイン電流 99A - IRLR3636TRPBF
インフィニオンのこのNチャネルエンハンスメント型MOSFETは、表面実装回路での大電流スイッチング向けに設計されたパワートランジスタです。広い温度範囲で動作し、高いドレイン-ソース間電圧への対応と大きな連続電流容量が求められる用途に適しています。このデバイスは、基板への省スペース実装に適したTO-252パッケージを採用し、一般的なゲート駆動電圧に対応するゲート定格を備えています。
特長:
• 最大連続ドレイン電流 99A により大電流スイッチングに対応
• 最大ドレイン-ソース間電圧 60V により中電圧システムに対応
• 8.3mΩ の超低Rds(on)により導通損失を低減
• 最大許容損失 143W により高出力での連続動作に対応
• 標準ゲート電荷 49nC によりスイッチング特性の予測が容易
• 順方向電圧 1.3V により負荷時の電圧降下を最小限に抑制
• 最大ドレイン-ソース間電圧 60V により中電圧システムに対応
• 8.3mΩ の超低Rds(on)により導通損失を低減
• 最大許容損失 143W により高出力での連続動作に対応
• 標準ゲート電荷 49nC によりスイッチング特性の予測が容易
• 順方向電圧 1.3V により負荷時の電圧降下を最小限に抑制
用途
• 電動アクチュエータのモータドライバ段に最適
• 大電流DC-DCコンバーターおよびレギュレーターに最適
• バッテリ管理および電力配分モジュールに使用
• 電源回路の同期整流に使用可能
• 可変速ドライブの産業用スイッチングに最適
• 大電流DC-DCコンバーターおよびレギュレーターに最適
• バッテリ管理および電力配分モジュールに使用
• 電源回路の同期整流に使用可能
• 可変速ドライブの産業用スイッチングに最適
設計時に守る必要があるゲート電圧の制限値はどのくらいですか？
ゲート酸化膜へのストレスを避け、確実なスイッチングを確保するため、ゲート-ソース間定格電圧 16V を超えて駆動しないでください。
動作時にどのような温度条件に耐えられますか？
このトランジスタは -55°C～175°C で動作し、適切な熱管理を行うことで厳しい温度環境でも使用できます。
このパッケージは基板レイアウトや実装にどのような影響を与えますか？
TO-252表面実装パッケージは小型フットプリントとプリント基板への熱経路を備え、低インダクタンス接続と効率的な熱伝達を可能にします。
チャネルタイプはスイッチング動作にどのような影響を与えますか？
Nチャネルエンハンスメント型デバイスのため、オンにするにはソースに対して正のゲート電圧を印加する必要があり、適切に駆動することで低いRds(on)が得られます。
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