Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 99 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IRLR3636TRPBF
- RS品番:
- 830-3372
- メーカー型番:
- IRLR3636TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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| 100 - 940 | ￥194.30 | ￥1,943 |
| 950 - 1190 | ￥188.90 | ￥1,889 |
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- RS品番:
- 830-3372
- メーカー型番:
- IRLR3636TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 99A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 8.3mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 49nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 16 V | |
| 最大許容損失Pd | 143W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 幅 | 6.22 mm | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 2.39mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 99A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 8.3mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 49nC | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 16 V | ||
最大許容損失Pd 143W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
幅 6.22 mm | ||
長さ 6.73mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 2.39mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
Infineon NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V
Infineon のディスクリート HEXFET ® パワー MOSFET 製品には、リード付き表面実装パッケージに収容された N チャンネルデバイスが含まれています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタも用意されています。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
MOSFETトランジスタ、Infineon
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