Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 55 V, 42 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IRLR2905TRPBF

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RS品番:
830-3357
メーカー型番:
IRLR2905TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

42A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

55V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

40mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

16 V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

110W

順方向電圧 Vf

1.3V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

48nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

長さ

6.73mm

高さ

2.39mm

幅

6.22 mm

自動車規格

なし

Distrelec Product Id

304-44-477

インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V


インフィニオンのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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