Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 55 V, 42 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IRLR2905TRPBF

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RS品番:
830-3357
Distrelec 品番:
304-44-477
メーカー型番:
IRLR2905TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

42A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

55V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

40mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

48nC

最大許容損失Pd

110W

順方向電圧 Vf

1.3V

最大ゲートソース電圧Vgs

16 V

動作温度 Max

175°C

長さ

6.73mm

規格 / 承認

No

高さ

2.39mm

幅

6.22 mm

自動車規格

なし

インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V


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MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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