Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 33 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, IRF540NSTRRPBF
- RS品番:
- 831-2840
- メーカー型番:
- IRF540NSTRRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
1 袋(1袋10個入り) 小計：*
￥2,627.00
(税抜)
￥2,889.70
(税込)
￥3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 120 は海外在庫あり
- 50 は 2026年1月02日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 10 - 30 | ￥262.70 | ￥2,627 |
| 40 - 340 | ￥246.40 | ￥2,464 |
| 350 - 490 | ￥230.40 | ￥2,304 |
| 500 - 590 | ￥214.20 | ￥2,142 |
| 600 + | ￥197.90 | ￥1,979 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 831-2840
- メーカー型番:
- IRF540NSTRRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 33A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 44mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 130W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 71nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 4.83mm | |
| 幅 | 9.65 mm | |
| 長さ | 10.67mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 33A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 44mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 130W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 71nC | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 4.83mm | ||
幅 9.65 mm | ||
長さ 10.67mm | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流33A、最大許容損失130W - IRF540NSTRRPBF
このNチャネル・パワーMOSFETは、高効率アプリケーション向けに特別に設計されており、さまざまな電子システムで優れた性能を発揮します。信頼性と低抵抗が不可欠な大電流環境で威力を発揮する。その機能強化により、オートメーションや電力管理に重点を置く産業で特に役立つ。
特徴と利点
• 低RDS(on)で運転中の電力損失を最小化
• 33Aの連続ドレイン電流能力が様々なアプリケーションをサポート
• 広いゲート・ソース間電圧範囲が設計の柔軟性を提供
• 175℃までの高温に耐える
• 高速スイッチングで回路全体の効率を向上
• D2PAK表面実装設計によりPCB統合が容易に
用途
• オートメーション用電源管理回路に使用
• エネルギー効率のためにDC-DCコンバーターに一般的に実装されている
• モーター駆動に最適 大電流を必要とする
• 産業用電子機器の電源モジュールに使用されている
• 自動車に適している 堅牢な熱性能による
RDS(on)が低いことの意味は何ですか？
低RDS(on)は発熱を抑え、エネルギー効率を向上させます。これは部品の寿命を延ばし、運転経費を削減する上で極めて重要です。
MOSFETの高温での性能は？
175℃まで確実に動作し、過酷な条件下でも安定性を確保しながら、故障することなく性能要求を満たす。
この装置はパルス電流を扱うことができますか？
最大110Aまでのパルスドレイン電流をサポートし、短時間の大電力を効果的に管理できるため、負荷条件が変動するアプリケーションに最適です。
指定されたゲートしきい値電圧の意味は？
2Vから4Vのゲートしきい値電圧範囲は、導通を開始するのに必要な電圧を示し、制御回路に組み込む設計に不可欠な情報を提供する。
D2PAKパッケージは使い勝手にどう影響するのか？
D2PAKパッケージデザインは、効率的な放熱を促進し、表面実装アセンブリを簡素化するため、コンパクトなPCB上のハイパワーアプリケーションに適しています。