Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 33 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-262, IRF540NLPBF
- RS品番:
- 165-8115
- メーカー型番:
- IRF540NLPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
| 50 - 200 | ￥265.38 | ￥13,269 |
| 250 - 450 | ￥261.54 | ￥13,077 |
| 500 - 1200 | ￥255.20 | ￥12,760 |
| 1250 - 2450 | ￥248.90 | ￥12,445 |
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- RS品番:
- 165-8115
- メーカー型番:
- IRF540NLPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 33A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | TO-262 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 44mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 71nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 130W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 10.67mm | |
| 幅 | 4.83 mm | |
| 高さ | 9.65mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 33A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 TO-262 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 44mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 71nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 130W | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 10.67mm | ||
幅 4.83 mm | ||
高さ 9.65mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon
InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
MOSFETトランジスタ、Infineon
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