インフィニオン MOSFET, Nチャンネル, 30 A, 表面実装, 3 ピン, IPD30N06S223ATMA1

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RS品番:
857-4584
メーカー型番:
IPD30N06S223ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

30 A

最大ドレイン-ソース間電圧

55 V

パッケージタイプ

DPAK (TO-252)

シリーズ

OptiMOS

実装タイプ

表面実装

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗

23 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

4V

最低ゲートしきい値電圧

2.1V

最大パワー消費

100 W

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

-20 V, +20 V

動作温度 Max

+175 °C

標準ゲートチャージ @ Vgs

25 nC @ 10 V

1チップ当たりのエレメント数

1

幅

6.22mm

トランジスタ素材

Si

長さ

6.73mm

動作温度 Min

-55 °C

高さ

2.41mm

RoHSステータス: 該当なし

Infineon OptiMOS™パワーMOSFETファミリ


OptiMOS™製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。

Nチャンネル - 強化モード
車載AEC Q101認定
MSL1最大260 °Cのピークリフロー
175 °Cの動作温度
環境配慮製品(鉛フリー)
超低Rds(on)


MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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