Infineon MOSFET, Nチャンネル, 55 V, 30 A, 23 mΩ, パッケージ：PG-TO-252

このMOSFETは、高電流スイッチングおよび電源管理用に設計された表面実装Nチャンネルパワートランジスタです。産業用熱環境に適した広い周囲範囲で動作し、基板レベルの組立用のコンパクトなTO-252パッケージで提供されます。このデバイスは、電子部品の制限物質規格に適合しています。

• 23mΩ Rds(on)により、高電流動作時の導通損失を低減
• 30Aの連続ドレイン電流により、要求の厳しい電力供給をサポート
• 55Vのドレイン・ソース定格により、中電圧システムでの使用が可能
• 表面実装TO-252パッケージにより、コンパクトなプリント基板レイアウトを実現
• -55°C～175°Cの動作範囲により、極端な環境下でも機能性を維持

• DC配電および負荷スイッチングに最適
• コンパクトコンバータのモータドライバステージに最適
• 耐熱性に優れた産業用制御電子機器に使用
• 通信機器の電力管理に使用可能
• 電源の高電流スイッチステージに最適

PG-TO-252フットプリントを使用した表面実装組立用途向けです。

スイッチング制御にNチャンネル伝導モードを使用します。

制限物質への適合を必要とする用途で使用するためのRoHS認証を取得しています。

定格連続ドレイン電流は30Aです。