インフィニオン MOSFET, Nチャンネル, 80 A, スルーホール, 3 ピン, IPP80N04S4L04AKSA1
- RS品番:
- 857-6978
- メーカー型番:
- IPP80N04S4L04AKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
| 500 - 2000 | ¥107.43 | ¥53,715 |
| 2500 - 4500 | ¥104.752 | ¥52,376 |
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- RS品番:
- 857-6978
- メーカー型番:
- IPP80N04S4L04AKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 80 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 40 V | |
| パッケージタイプ | TO-220 | |
| シリーズ | OptiMOS T2 | |
| 実装タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 6 mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 2V | |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 1.2V | |
| 最大パワー消費 | 71 W | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -16 V、+20 V | |
| 動作温度 Max | +175 °C | |
| トランジスタ素材 | Si | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 46 nC @ 10 V | |
| 長さ | 10mm | |
| 幅 | 4.4mm | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| 高さ | 15.65mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 80 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 40 V | ||
パッケージタイプ TO-220 | ||
シリーズ OptiMOS T2 | ||
実装タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 6 mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートしきい値電圧 2V | ||
最低ゲートしきい値電圧 1.2V | ||
最大パワー消費 71 W | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ゲート-ソース間電圧 -16 V、+20 V | ||
動作温度 Max +175 °C | ||
トランジスタ素材 Si | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
標準ゲートチャージ @ Vgs 46 nC @ 10 V | ||
長さ 10mm | ||
幅 4.4mm | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
高さ 15.65mm | ||
Infineon OptiMOS™ T2パワーMOSFET
Infineonの新しいOptiMOS ™ -T2は、CO2削減機能と電気ドライブを備えた省エネMOSFETトランジスタシリーズです。 この新しいOptiMOS™ -T2製品ファミリは、既存のOptiMOS™ -T及びOptiMOS™の拡張ファミリです。
OptiMOS™製品は、極めて厳しい用途にも対応する高性能パッケージに収納され、限られたスペースに最大限の柔軟性をもたらします。 これらのInfineon製品は、コンピュータ用途における次世代電圧標準のエネルギー効率及び電力密度要件を満たすだけなく、それを超える性能を発揮します。
OptiMOS™製品は、極めて厳しい用途にも対応する高性能パッケージに収納され、限られたスペースに最大限の柔軟性をもたらします。 これらのInfineon製品は、コンピュータ用途における次世代電圧標準のエネルギー効率及び電力密度要件を満たすだけなく、それを超える性能を発揮します。
Nチャンネル - 強化モード
AEC認定
MSL1、最大260 °Cピークのリフロー
175 °Cの動作温度
環境配慮製品(RoHS対応)
AEC認定
MSL1、最大260 °Cピークのリフロー
175 °Cの動作温度
環境配慮製品(RoHS対応)
MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。
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