インフィニオン MOSFET, Nチャンネル, 205 A, スルーホール, 3 ピン, IPP018N10N5AKSA1
- RS品番:
- 284-888
- メーカー型番:
- IPP018N10N5AKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
取扱終了
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- RS品番:
- 284-888
- メーカー型番:
- IPP018N10N5AKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 205 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 100 V | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| パッケージタイプ | PG-TO220-3 | |
| 実装タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| トランジスタ素材 | SiC | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 205 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 100 V | ||
シリーズ OptiMOS | ||
パッケージタイプ PG-TO220-3 | ||
実装タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
トランジスタ素材 SiC | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
インフィニオンのMOSFETの特徴は、幅広いアプリケーションに対応し、卓越した効率と信頼性を提供するように設計されています。その革新的な構造により、低伝導損失を確保しながら高速スイッチングを容易にし、電源管理システムや産業用アプリケーションに理想的な選択肢を提供します。この製品は、高負荷条件下でも効果的に動作する、優れた熱性能で際立っている。最適な電力密度を提供するように設計されており、システム内のスペースの制約が性能を損なわないようになっている。車載ソリューションでも再生可能エネルギー技術でも、このMOSFETは最新の電子設計の要求に応える堅牢なソリューションです。
高速スイッチング機能
低い伝導損失が効率を高める
優れた熱性能のために最適化された
高負荷条件下での堅牢な動作
コンパクトな電力密度のニーズに対応
自動車用および再生可能エネルギー用
低い伝導損失が効率を高める
優れた熱性能のために最適化された
高負荷条件下での堅牢な動作
コンパクトな電力密度のニーズに対応
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