onsemi MOSFET, タイプPチャンネル 200 V, 5.7 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252
- RS品番:
- 864-4948
- メーカー型番:
- FQD7P20TM
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
ボリュームディスカウント対象商品
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￥207,142.50
(税抜)
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納期未定
- 2,500 は 2025年12月29日 に入荷予定
在庫限り。入荷未定。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | ￥82.857 | ￥207,143 |
| 5000 - 22500 | ￥81.208 | ￥203,020 |
| 25000 - 35000 | ￥79.58 | ￥198,950 |
| 37500 - 47500 | ￥77.992 | ￥194,980 |
| 50000 + | ￥76.427 | ￥191,068 |
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- RS品番:
- 864-4948
- メーカー型番:
- FQD7P20TM
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 5.7A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 200V | |
| シリーズ | FQD7P20TM | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 690mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 19nC | |
| 順方向電圧 Vf | -5V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 2.5W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±30 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 6.1 mm | |
| 長さ | 6.6mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 2.3mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 5.7A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 200V | ||
シリーズ FQD7P20TM | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 690mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 19nC | ||
順方向電圧 Vf -5V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 2.5W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±30 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 6.1 mm | ||
長さ 6.6mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 2.3mm | ||
自動車規格 なし | ||
拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor
ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。
特長と利点:
•電圧制御の P チャネル小信号スイッチ
•高密度セル設計
•高い飽和電流
•優れたスイッチング
•耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス
• DMOS テクノロジー
用途:
•負荷スイッチング
• DC/DC コンバータ
•バッテリー保護
•電源管理制御
• DC モータ制御
MOSFET トランジスタ、 ON Semi
ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。