IXYS Nチャンネル MOSFET55 V 550 A 表面実装 パッケージSMPD 24 ピン
- RS品番:
- 875-2500
- メーカー型番:
- MMIX1T550N055T2
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
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| 5 - 9 | ￥7,625.00 |
| 10 - 12 | ￥6,954.00 |
| 13 - 15 | ￥5,995.00 |
| 16 + | ￥5,795.00 |
- RS品番:
- 875-2500
- メーカー型番:
- MMIX1T550N055T2
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
その他
詳細情報
IXYS HiperFET™ GigaMOS™シリーズ NチャンネルパワーMOSFET
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、IXYS
IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 550 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 55 V |
| シリーズ | GigaMOS, HiperFET |
| パッケージタイプ | SMPD |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 24 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 1.3 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 3.8V |
| 最大パワー消費 | 830 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
| 幅 | 23.25mm |
| トランジスタ素材 | Si |
| 動作温度 Max | +175 °C |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 長さ | 25.25mm |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 595 nC @ 10 V |
| 高さ | 5.7mm |
| 順方向ダイオード電圧 | 1.2V |
| 動作温度 Min | -55 °C |
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