Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 42 A デプレッション型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 10 x 12

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RS品番:
239-8635
メーカー型番:
SIHK055N60E-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

42A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

PowerPAK 10 x 12

シリーズ

E

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.056Ω

チャンネルモード

デプレッション型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

54nC

最大許容損失Pd

236W

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

動作温度 Max

+150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

VishayシリーズEパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧650 V、最大連続ドレイン電流42 A - SIHK055N60E-T1-GE3


このパワーMOSFETは、要求の厳しい産業および自動車環境でのスイッチングおよび電力管理用に設計された高電圧Nチャンネルトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、堅牢な高電圧処理とコンパクトなパッケージングが必要な表面実装アセンブリ向けです。

特長:


• 650 Vのドレイン定格により、高電圧スイッチング用途を実現 • 42 Aの連続ドレイン電流により、ヘビー負荷動作をサポート • 0.056Ωの低Rds(on)により、導通損失を低減 • 54 nC標準ゲート充電により、スイッチング速度とドライブ力をバランス • 236 Wの消費電力により、持続的な電力処理が可能 • 高温環境に対応する+150°Cまでの定格

用途


• 産業オートメーションの電力変換段階に最適 • モータドライブインバータスイッチング回路に最適 • 電気システムの高電圧DC-DCコンバータに使用 • AEC-Q101認定を必要とする車載用電源管理モジュールに使用可能

ボードアセンブリにはどのような取り付けスタイルが必要ですか?


PowerPAK 10 x 12表面パッケージで提供され、表面実装はんだ付けプロセスと基板への熱伝導用に設計された8ピンを備えています。

ゲートドライブ要件は、コントローラの選択にどのように影響しますか?


このデバイスは、最大30 Vのゲートソース電圧をサポートし、標準的なゲート電荷量は54 nCであるため、ドライバはVGS制限内で維持しながら、必要なスイッチングトランジションに十分な電荷量を供給する必要があります。

動作中にどのような過酷な環境に耐えられますか?


このコンポーネントは、-55°C~+150°Cまでの動作に対応し、過酷な環境で幅広い周囲温度およびジャンクション温度範囲で使用できます。

自動車用途に関連する業界認証はありますか?


車載グレードの半導体に関するAEC-Q101規格に適合し、材料制限に関するRoHS準拠です。

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