IXYS MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 420 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSOT-227
- RS品番:
- 168-4579
- メーカー型番:
- IXFN420N10T
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
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- RS品番:
- 168-4579
- メーカー型番:
- IXFN420N10T
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | IXYS | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 420A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | SOT-227 | |
| シリーズ | GigaMOS Trench HiperFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 2.3mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 670nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 1.07kW | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 38.23mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 9.6mm | |
| 幅 | 25.07 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド IXYS | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 420A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 SOT-227 | ||
シリーズ GigaMOS Trench HiperFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2.3mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 670nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 1.07kW | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 38.23mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 9.6mm | ||
幅 25.07 mm | ||
自動車規格 なし | ||
IXYS HiperFET™ GigaMOS™シリーズ NチャンネルパワーMOSFET
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