インフィニオン MOSFET, Nチャンネル, 17.5 A, スルーホール, 3 ピン, IPW65R190CFDFKSA1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
取扱終了
在庫限りでお取扱いは終了致します。
RS品番:
906-4384
メーカー型番:
IPW65R190CFDFKSA1
メーカー/ブランド名:
Infineon
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Infineon

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

17.5 A

最大ドレイン-ソース間電圧

700 V

シリーズ

CoolMOS™ CFD

パッケージタイプ

TO-247

実装タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗

190 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

4.5V

最低ゲートしきい値電圧

3.5V

最大パワー消費

151 W

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

-30 V, +30 V

トランジスタ素材

Si

動作温度 Max

+150 °C

1チップ当たりのエレメント数

1

幅

5.21mm

標準ゲートチャージ @ Vgs

68 nC @ 10 V

長さ

16.13mm

順方向ダイオード電圧

0.9V

動作温度 Min

-55 °C

高さ

21.1mm

RoHSステータス: 該当なし

Infineon CoolMOS™ CFDパワーMOSFET


インフィニオンCoolMOS™ CFDシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流17.5A、最大許容損失151W - IPW65R190CFDFKSA1


このMOSFETは高性能アプリケーション向けに設計されており、電子回路の機能を高める効率的なスイッチング機能を提供します。電力変換と管理に広く使用され、高電圧と高電流を効果的に処理するため、多くのオートメーションと電気設備プロジェクトに不可欠です。最大ドレイン・ソース間電圧は700Vで、最新の電子設計の厳しい要件を満たしている。

特徴と利点


• 最大連続ドレイン電流17.5Aをサポートし、信頼性の高いパフォーマンスを実現
• ドレイン・ソース間抵抗が190mΩと低いため、効率が向上
• 最高温度+150℃の耐久性
• エンハンスメント・モードを採用し、電気の流れを正確に制御可能
• 汎用性の高いTO-247パッケージで、実装と統合が容易
• スルーホールおよび自動組立工程の両方に適しています。

用途


• ソーラー・インバータなどの再生可能エネルギー・システムで利用されている
• 電気自動車の充電ステーションに採用され、効率的なエネルギー伝送を実現
• 産業用オートメーションシステムに統合し、効率的なモーター制御を実現
• 高効率パワーMOSFETを必要とする電源回路に適用可能
• コンパクトで信頼性の高い高電圧スイッチングを必要とする家電製品に最適

最大ゲートしきい値電圧の意味は？


最大ゲートしきい値電圧は、スイッチングに必要な最小電圧を定義することにより、デバイスが効果的に動作することを保証し、回路設計の信頼性を向上させるために重要である。

この部品は高温環境に対応できますか？


また、+150℃までの温度で安全に動作するため、自動車や産業システムなどの高温用途に適している。

低Rds(on)は回路設計にどのようなメリットがありますか？


Rds(on)が低いほど、動作中の電力損失が減少し、電力変換システムの全体的な効率が向上し、信頼性に不可欠な発熱が最小限に抑えられる。

どのような電気接続に対応していますか？


スルーホール実装に対応しているため、従来のはんだ付け方法だけでなく、自動組立ラインにも対応する。

高電圧アプリケーションに対応していますか？


ドレイン・ソース間電圧の最大値は700Vで、高電圧アプリケーション用に特別に設計されており、さまざまな厳しい環境下での汎用性が保証されている。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。



MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

関連ページ