インフィニオン MOSFET, Nチャンネル, 190 mA, 表面実装, 3 ピン, BSS169IXTSA1
- RS品番:
- 225-0564
- メーカー型番:
- BSS169IXTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 225-0564
- メーカー型番:
- BSS169IXTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 190 mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 100 V | |
| シリーズ | BSS169I | |
| パッケージタイプ | SOT-23 | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 3 | |
| チャンネルモード | デプレッション型 | |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 1.8V | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 190 mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 100 V | ||
シリーズ BSS169I | ||
パッケージタイプ SOT-23 | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 3 | ||
チャンネルモード デプレッション型 | ||
最大ゲートしきい値電圧 1.8V | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
Infineon BSS169Iは、小信号・小電力のN-およびPチャネルMOSFETであり、広範囲のVGS(th)レベルとRDS(on)値、および複数の電圧クラスを提供します。このMOSFETにはエンハンスメントモードとデプレーションモードのオプションがあります。
PCBスペースの節約とコスト削減
ゲートドライブの柔軟性
設計の複雑さを軽減
環境に優しい
高い総合効率
ゲートドライブの柔軟性
設計の複雑さを軽減
環境に優しい
高い総合効率
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