インフィニオン MOSFET, Nチャンネル, 10 A, スルーホール, 3 ピン, IRL520NPBF

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RS品番:
919-4870
メーカー型番:
IRL520NPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

10 A

最大ドレイン-ソース間電圧

100 V

シリーズ

LogicFET

パッケージタイプ

TO-220AB

実装タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗

180 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

2V

最低ゲートしきい値電圧

1V

最大パワー消費

48 W

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

-16 V, +16 V

1チップ当たりのエレメント数

1

トランジスタ素材

Si

動作温度 Max

+175 °C

標準ゲートチャージ @ Vgs

20 nC @ 5 V

高さ

8.77mm

動作温度 Min

-55 °C

COO（原産国）:
CN

インフィニオンLogicFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流10A、最大許容損失48W - IRL520NPBF


このMOSFETは、さまざまな大電力用途向けに設計されている。Nチャンネル構成とエンハンスメントモード機能により、オートメーションや電気分野におけるスイッチングや増幅の作業に適しています。最大連続ドレイン電流10A、最大ドレイン・ソース間電圧100Vで、厳しい環境でも安定した性能を発揮します。TO-220ABパッケージタイプは、さまざまな実装状況において効果的な熱管理を容易にします。

特徴と利点


• 48Wの高い電力放散能力で堅牢なパフォーマンスを実現

• ドレイン・ソース間抵抗が180mΩと低く、効率が向上

• 55℃～+175℃の広い動作温度範囲により信頼性を確保

• スルーホール実装に適しており、組み込みが容易

• ゲートしきい値電圧を1V～2Vに強化し、制御を最適化

• シングル・トランジスタ構成により、設計と組み立てを簡素化

用途


• 効率的な電圧調整のために電源回路に利用される

• 大電流容量のため、モーター制御システムに採用

• 効果的なスイッチング操作のための産業オートメーションに適用可能

• エネルギー効率の高い設計のための電源管理ソリューションへの統合

最適なパフォーマンスを得るためには、どのような冷却方法が推奨されますか？


効果的なヒートシンクは、動作効率を維持し、特に高負荷状態での過熱を防ぐために不可欠です。

他のMOSFETと直接交換できますか？


直接交換が可能な場合もありますが、互換性と機能性を確保するためには、定格電流や定格電圧、ゲート駆動要件などの仕様を考慮することが極めて重要です。

推奨される最大ゲート・ソース間電圧は？


最大ゲート・ソース間電圧は、デバイスへのダメージを避け、信頼性の高い動作を保証するために、-16V～+16Vを超えないこと。

取り付けの際、このMOSFETはどのように扱えばよいですか？


回路に取り付けた後の故障や断続的な動作を防ぐため、静電気放電（ESD）対策を行い、確実に接続してください。

高周波用途に適しているか？


このMOSFETはスイッチング・アプリケーションに適しているが、高周波での性能劣化を避けるため、ゲート駆動速度と負荷条件に注意する必要がある。

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