インフィニオン MOSFET, Nチャンネル, 63 A, スルーホール, 3 ピン, IRLU3110ZPBF

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RS品番:
913-3976
メーカー型番:
IRLU3110ZPBF
メーカー/ブランド名:
Infineon
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ブランド

Infineon

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

63 A

最大ドレイン-ソース間電圧

100 V

パッケージタイプ

IPAK (TO-251)

シリーズ

HEXFET

実装タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗

14 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

2.5V

最低ゲートしきい値電圧

1V

最大パワー消費

140 W

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

-16 V, +16 V

幅

2.3mm

トランジスタ素材

Si

動作温度 Max

+175 °C

1チップ当たりのエレメント数

1

長さ

6.6mm

標準ゲートチャージ @ Vgs

34 nC V @ 4.5

動作温度 Min

-55 °C

高さ

6.1mm

COO（原産国）:
MX

NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon


InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流63A、最大許容損失140W - IRLU3110ZPBF


この高性能MOSFETは、産業用アプリケーション向けに設計されており、オートメーションや電気システム向けの優れた能力を発揮します。そのエンハンスメント・モード・トランジスタ構造は効率を高め、効果的な結果を出すために最新の処理技術を利用している。この仕様は、さまざまな環境で信頼できる性能を求めるユーザーにとって不可欠なものだ。

特徴と利点


• エネルギー効率を高める超低RDS(on)
• 最大63Aの高連続ドレイン電流に対応
• ドレイン・ソース間最大電圧定格100V
• 最高使用温度+175℃の卓越した熱安定性
• 高速スイッチングがシステムの応答性を向上
• 雪崩の繰り返しにも強く、信頼性がさらに向上

用途


• パワーエレクトロニクス・コンバーターに使用
• モーター制御システムに最適
• スイッチング・レギュレータやインバータに最適
• 大電流処理を必要とする回路に採用
• 産業機器内の電力管理システムに利用

このMOSFETの理想的な動作条件は？


55℃から175℃の間で効率的に作動し、過酷な条件下でも汎用性を発揮する。

RDS(on)は効率にどのような影響を与えるのか？


超低RDS(on)は動作中の電力損失を低減し、発熱の低減と回路効率の向上につながる。

高周波用途に使用できますか？


そう、高速スイッチング機能により、パフォーマンスを維持したまま高周波環境で使用できる。

ゲート・ソース間電圧のピークの意味は？


最大±16Vのゲート・ソース間電圧は安全な動作を保証し、ゲート酸化膜の破壊を防ぎ、トランジスタの完全性を保護します。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。



MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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