Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 9.3 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSOIC, IRF7493TRPBF

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梱包形態
RS品番:
915-4960
メーカー型番:
IRF7493TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

9.3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

15mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

2.5W

順方向電圧 Vf

1.3V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

35nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

長さ

5mm

規格 / 承認

No

幅

4 mm

高さ

1.5mm

自動車規格

なし

Infineon NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V


Infineon のディスクリート HEXFET ® パワー MOSFET 製品には、リード付き表面実装パッケージに収容された N チャンネルデバイスが含まれています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタも用意されています。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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