Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 14 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSOIC, IRF8721TRPBF
- RS品番:
- 915-4979
- メーカー型番:
- IRF8721TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- 915-4979
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- IRF8721TRPBF
- メーカー/ブランド名:
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仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 14A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 12.5mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 2.5W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 8.3nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 4 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 長さ | 5mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 14A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 12.5mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 2.5W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 8.3nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 4 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1.5mm | ||
長さ 5mm | ||
自動車規格 なし | ||
NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon
InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
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