IXYS Nチャンネル MOSFET650 V 46 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン
- RS品番:
- 168-4811
- メーカー型番:
- IXFH46N65X2
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
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単価: 購入単位は30個
¥958.80
(税抜)
¥1,054.68
(税込)
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
---|---|---|
30 - 120 | ¥958.80 | ¥28,764.00 |
150 - 270 | ¥939.633 | ¥28,188.99 |
300 - 720 | ¥920.833 | ¥27,624.99 |
750 - 1470 | ¥902.40 | ¥27,072.00 |
1500 + | ¥884.367 | ¥26,531.01 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 168-4811
- メーカー型番:
- IXFH46N65X2
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
その他
- COO(原産国):
- US
詳細情報
NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiPerFET™ X2シリーズ
IXYS X2クラスHiPerFETパワーMOSFETシリーズは、以前の世代のパワーMOSFETと比べると、抵抗とゲート電荷量を大幅に抑えているので、損失量が低下し、操作効率が向上します。 これらの頑丈なデバイスは強化された高速真性ダイオードを実装しており、ハードスイッチングと共振モードの両方に適しています。 X2クラスのパワーMOSFETは、120 A @ 650 Vの定格電流を備えた、多様な業界標準パッケージに収納されており、絶縁タイプも用意されています。 代表的な用途には、DC-DCコンバータ、AC / DCモータドライブ、スイッチモード / 共振モード電源、DCチョッパ、ソーラーインバータ、温度 / 照明制御があります。
超低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量)
高速真性整流器
低真性ゲート抵抗
低パッケージインダクタンス
産業用の標準パッケージ
高速真性整流器
低真性ゲート抵抗
低パッケージインダクタンス
産業用の標準パッケージ
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、IXYS
IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 46 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 650 V |
パッケージタイプ | TO-247 |
シリーズ | HiperFET, X2-Class |
実装タイプ | スルーホール |
ピン数 | 3 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 69 mΩ |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大ゲートしきい値電圧 | 5.5V |
最低ゲートしきい値電圧 | 2.7V |
最大パワー消費 | 660 W |
トランジスタ構成 | シングル |
最大ゲート-ソース間電圧 | -30 V, +30 V |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
幅 | 21.34mm |
長さ | 16.13mm |
トランジスタ素材 | Si |
動作温度 Max | +150 °C |
標準ゲートチャージ @ Vgs | 98 nC @ 10 V |
高さ | 5.21mm |
順方向ダイオード電圧 | 1.4V |
動作温度 Min | -55 °C |
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