IXYS Nチャンネル MOSFET650 V 76 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピン
- RS品番:
- 168-4820
- メーカー型番:
- IXTN102N65X2
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
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単価： 購入単位は10個
￥4,433.80
(税抜)
￥4,877.18
(税込)
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | ￥4,433.80 | ￥44,338.00 |
| 50 - 90 | ￥4,345.10 | ￥43,451.00 |
| 100 - 240 | ￥4,258.30 | ￥42,583.00 |
| 250 - 490 | ￥4,173.10 | ￥41,731.00 |
| 500 + | ￥4,089.70 | ￥40,897.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 168-4820
- メーカー型番:
- IXTN102N65X2
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
その他
- COO（原産国）:
- US
詳細情報
NチャンネルパワーMOSFET、IXYS X2クラスシリーズ
IXYS X2クラスのパワーMOSFETシリーズでは、前世代のパワーMOSFETと比較すると、オン抵抗とゲート電荷量が大幅に低下しています。このため、損失量が低下し、操作効率が向上しています。 これらの頑丈なデバイスは真性ダイオードを搭載しているので、ハードスイッチングと共振モードの両方に適しています。 X2クラスのパワーMOSFETは、120 A @ 650 Vの定格電流を備えた、多様な業界標準パッケージに収納されており、絶縁タイプも用意されています。 代表的な用途には、DC-DCコンバータ、AC / DCモータドライブ、スイッチモード / 共振モード電源、DCチョッパ、ソーラーインバータ、温度 / 照明制御があります。
超低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量)
真性整流ダイオード
低真性ゲート抵抗
低パッケージインダクタンス
産業用の標準パッケージ
真性整流ダイオード
低真性ゲート抵抗
低パッケージインダクタンス
産業用の標準パッケージ
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、IXYS
IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 76 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 650 V |
| パッケージタイプ | SOT-227 |
| シリーズ | X2-Class |
| 実装タイプ | スクリュー マウント |
| ピン数 | 4 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 30 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 5V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 3V |
| 最大パワー消費 | 595 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -30 V, +30 V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 幅 | 25.42mm |
| トランジスタ素材 | Si |
| 長さ | 38.23mm |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 152 nC @ 10 V |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 順方向ダイオード電圧 | 1.4V |
| 動作温度 Min | -55 °C |
| 高さ | 9.6mm |
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