IXYS MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 76 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSOT-227

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RS品番:
168-4820
メーカー型番:
IXTN102N65X2
メーカー/ブランド名:
IXYS
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ブランド

IXYS

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

76A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

SOT-227

シリーズ

X2-Class

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

30mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.4V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

152nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

最大許容損失Pd

595W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

高さ

9.6mm

長さ

38.23mm

幅

25.42 mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
US

NチャンネルパワーMOSFET、IXYS X2クラスシリーズ


IXYS X2クラスのパワーMOSFETシリーズでは、前世代のパワーMOSFETと比較すると、オン抵抗とゲート電荷量が大幅に低下しています。このため、損失量が低下し、操作効率が向上しています。 これらの頑丈なデバイスは真性ダイオードを搭載しているので、ハードスイッチングと共振モードの両方に適しています。 X2クラスのパワーMOSFETは、120 A @ 650 Vの定格電流を備えた、多様な業界標準パッケージに収納されており、絶縁タイプも用意されています。 代表的な用途には、DC-DCコンバータ、AC / DCモータドライブ、スイッチモード / 共振モード電源、DCチョッパ、ソーラーインバータ、温度 / 照明制御があります。

超低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量)

真性整流ダイオード

低真性ゲート抵抗

低パッケージインダクタンス

産業用の標準パッケージ

MOSFETトランジスタ、IXYS


IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品

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