Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 57 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220
- RS品番:
- 919-4775
- メーカー型番:
- IRF3710PBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 919-4775
- メーカー型番:
- IRF3710PBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 57A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 23mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 130nC | |
| 最大許容損失Pd | 200W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 10.54mm | |
| 高さ | 8.77mm | |
| 幅 | 4.69 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 57A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 23mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 130nC | ||
最大許容損失Pd 200W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 10.54mm | ||
高さ 8.77mm | ||
幅 4.69 mm | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流57A、最大許容損失200W - IRF3710PBF
このMOSFETは耐久性に優れたパワー半導体で、さまざまな電子アプリケーションに不可欠である。高効率に設計されており、低抵抗と優れた熱性能を必要とする環境で優れているため、オートメーションや機械システムなどの分野で現代のエレクトロニクスにとって重要な役割を果たしている。
特徴と利点
• 低オン抵抗のHEXFET技術を採用
• 最大57Aの連続ドレイン電流に対応
• ドレイン・ソース間電圧100V以内で有効に機能する
• 全体的なパフォーマンスを向上させる高速スイッチング機能を実現
• 最大ジャンクション温度+175℃で動作するように設計されています。
• 発熱を最小限に抑えた熱管理の最適化
用途
• 効率的なエネルギー管理を実現する自動車用パワーシステムに活用
• エネルギー効率を高める電源回路に最適
• 大電流シナリオのモーター制御システムに適用可能
• 産業オートメーションに有効で、負荷がかかっても安定した性能を発揮
このMOSFETの低オン抵抗の意味は？
低オン抵抗は電力損失を低減し、高性能アプリケーションに不可欠な効率を高める。
高温環境でも使用できますか？
そう、最高接合部温度+175℃まで効果的に動作し、困難な用途に適している。
ゲートしきい値電圧は動作にどのような影響を与えますか？
2Vから4Vのゲートしきい値電圧は、効果的なスイッチングを保証し、様々な回路設計で正確な制御を可能にします。
この装置にはどのような取り付け方法が適していますか？
このMOSFETはスルーホール実装を想定しており、多くのアプリケーションで確実な取り付けが可能です。
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon
InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。