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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	130A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	75V
	パッケージ型式	JEDEC TO-220AB
	シリーズ	IRF1407PbF
	取付タイプ	スルーホール
	ピン数	3
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	1.3V
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	最大許容損失Pd	330W
	動作温度 Max	175°C
	トランジスタ構成	シングル
	高さ	16.51mm
	長さ	10.67mm
	幅	4.83 mm
	1チップ当たりのエレメント数	1

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 130A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 75V
	パッケージ型式 JEDEC TO-220AB
	シリーズ IRF1407PbF
	取付タイプスルーホール
	ピン数 3
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 1.3V
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	最大許容損失Pd 330W
	動作温度 Max 175°C
	トランジスタ構成シングル
	高さ 16.51mm
	長さ 10.67mm
	幅 4.83 mm
	1チップ当たりのエレメント数 1

ストライププレーナ設計が採用されたこのHEXFET®パワーMOSFETでは、最新のプロセス技術を活かし、シリコン面積当たりのオン抵抗を極めて低く抑えています。他にも、ジャンクション動作温度175 °C、高速スイッチング、向上した反復アバランシェ定格といった特長があります。こうした特長が相まって、幅広い用途に使用できる、効率と信頼性の極めて高いデバイスとなっています。

特長:

低RDS(on)

動的dv/dt定格

高速スイッチング

動作温度: 175 °C

用途

一般消費者向けフルブリッジ

フルブリッジ

プッシュプル

特長: