Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 55 V, 30 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, IRLZ34NPBF

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RS品番:
541-1247
Distrelec 品番:
303-41-411
メーカー型番:
IRLZ34NPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

30A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

55V

パッケージ型式

TO-220

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

35mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

16 V

最大許容損失Pd

68W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

25nC

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

幅

4.69 mm

高さ

8.77mm

長さ

10.54mm

Distrelec Product Id

30341411

自動車規格

なし

インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流30A、最大許容損失68W - IRLZ34NPBF


この高性能NチャネルMOSFETは、さまざまな電子アプリケーションでの効率性を重視して設計されています。最大連続ドレイン電流は30Aで、最大55Vのドレイン・ソース間電圧を扱うことができる。エンハンスド・モード機能により、さまざまな条件下での動作が保証されるため、さまざまな分野の電力管理にとって価値あるコンポーネントとなっている。

特徴と利点


• 35mΩの低オン抵抗で電力損失を低減

• 68Wの高い電力消費能力でパフォーマンスを向上

• 55℃～+175℃の動作温度範囲により汎用性を確保

• 5Vで25nCのゲート電荷が高速スイッチングを実現

• コンパクトなTO-220ABパッケージにより、効率的なPCBレイアウトを実現

用途


• 効率的な電力変換のためにDC-DCコンバーターに利用される

• 産業オートメーションのモータードライバ回路に最適

• 再生可能エネルギーの電力管理システムに有効

• 高速スイッチングに使用 電気通信

ゲート・ソース間電圧の最大値は？


最大±16Vのゲート・ソース間電圧に耐えるため、さまざまな回路で安全に使用できる。

温度は性能にどう影響するのか？


MOSFETは、-55℃～+175℃の温度範囲で効率的に動作し、過酷な条件下でも安定性を維持します。

高周波用途に使用できますか？


はい、5Vで25nCの典型的なゲート電荷で設計されており、RFアンプなどの高周波アプリケーションに適しています。

Rds(on)が低いことの意味は？


Rds(on)の値が低いほど、発熱と電力損失が大幅に減少し、電源設計の全体的な効率が向上する。

さまざまな電子回路と互換性がありますか？


このデバイスは汎用性があり、車載用や産業用パワーエレクトロニクスなど、さまざまな回路構成に組み込むことができる。

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