Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 55 V, 31 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220

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RS品番:
919-4924
メーカー型番:
IRF5305PBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

31A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

55V

パッケージ型式

TO-220

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

60mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

63nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

110W

順方向電圧 Vf

-1.3V

動作温度 Max

175°C

長さ

10.54mm

幅

4.69 mm

規格 / 承認

No

高さ

8.77mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
MX

インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流31A、最大許容損失110W - IRF5305PBF


このMOSFETは、柔軟性と信頼性の両方を提供する高効率パワー・アプリケーション向けに調整されている。そのエンハンスメントモード動作は、特に産業やオートメーション環境において、制御されたスイッチングを必要とする様々なシステムに適しています。

特徴と利点


• 31Aの連続ドレイン電流容量が要求の厳しいアプリケーションに対応

• 定格電圧55Vで信頼性の高いスイッチングを実現

• 60mΩの低オン抵抗で電力損失を低減

• TO-220ABパッケージ設計が熱性能を強化

• 多様なアプリケーションに対応する±20Vのゲート・ソース電圧範囲

• 迅速なスイッチング最適化により、システム全体の効率を向上

用途


• 効率的な運転のためのモーター制御システムに使用

• 安定した性能を発揮する電源回路に適用可能

• 効果的なスイッチング機能を必要とする電子機器に組み込まれる

• 再生可能エネルギーシステムへの導入に適している

使用可能な温度範囲は？


動作温度は-55℃～+175℃であり、過酷な条件下での使用に適している。

パッケージの種類はパフォーマンスにどう影響しますか？


TO-220ABパッケージは熱抵抗が低く、動作時の冷却効率が向上する。

パルスドレイン電流のアプリケーションに対応できますか？


また、最大110Aまでのパルスドレイン電流をサポートし、過渡的な要求にも十分な性能を発揮します。

これはどのタイプのトランジスタですか？


高効率アプリケーション向けに最適化されたPチャンネルSi MOSFETです。

自動組立工程に対応しているか？


はい、スルーホール設計のため、自動化システムや回路基板に組み込むことができます。

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