IXYS Nチャンネル MOSFET200 V 115 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピン
- RS品番:
- 920-0735
- メーカー型番:
- IXFN140N20P
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
在庫切れ
単価: 購入単位は10個
¥3,941.20
(税抜)
¥4,335.32
(税込)
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
---|---|---|
10 - 40 | ¥3,941.20 | ¥39,412.00 |
50 - 90 | ¥3,823.60 | ¥38,236.00 |
100 - 240 | ¥3,619.70 | ¥36,197.00 |
250 - 490 | ¥3,517.90 | ¥35,179.00 |
500 + | ¥3,415.80 | ¥34,158.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 920-0735
- メーカー型番:
- IXFN140N20P
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
その他
詳細情報
NチャンネルパワーMOSFET IXYS HiperFET™ Polar™シリーズ
IXYSのNチャンネルパワーMOSFET (高速固有ダイオード搭載) (HiPerFET™)
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、IXYS
IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 115 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 200 V |
シリーズ | HiperFET, Polar |
パッケージタイプ | SOT-227 |
実装タイプ | スクリュー マウント |
ピン数 | 4 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 18 mΩ |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大ゲートしきい値電圧 | 5V |
最大パワー消費 | 680 W |
トランジスタ構成 | シングル |
最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
トランジスタ素材 | Si |
幅 | 25.42mm |
標準ゲートチャージ @ Vgs | 240 nC @ 10 V |
長さ | 38.23mm |
動作温度 Max | +175 °C |
高さ | 9.6mm |
動作温度 Min | -55 °C |
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