IXYS MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 200 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSOT-227

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RS品番:
168-4576
メーカー型番:
IXFN200N10P
メーカー/ブランド名:
IXYS
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ブランド

IXYS

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

200A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

SOT-227

シリーズ

Polar HiPerFET

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

7.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

680W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

235nC

順方向電圧 Vf

1.5V

動作温度 Max

175°C

長さ

38.23mm

高さ

9.6mm

幅

25.07 mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

COO（原産国）:
PH

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