型番

1 DiodesZetex MOSFET シングル, タイプNチャンネル, 360 mA, 表面 50 V, 6-Pin エンハンスメント型, DMN53D0LDW-7 パッケージSC-88

RS品番:: 921-1105
メーカー型番:: DMN53D0LDW-7
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

1 DiodesZetex MOSFET シングル, タイプNチャンネル, 360 mA, 表面 50 V, 6-Pin エンハンスメント型, DMN53D0LDW-7 パッケージSC-88

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RS品番:: 921-1105
メーカー型番:: DMN53D0LDW-7
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	DiodesZetex
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	360mA
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	50V
	パッケージ型式	SC-88
	取付タイプ	表面
	ピン数	6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	4.5Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Min	150°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	0.6nC
	順方向電圧 Vf	0.8V
	最大許容損失Pd	310mW
	動作温度 Max	-55°C
	トランジスタ構成	シングル
	幅	1.35 mm
	高さ	1mm
	規格 / 承認	J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, RoHS
	長さ	2.2mm
	1チップ当たりのエレメント数	1
	自動車規格	AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

	すべて選択
	ブランド DiodesZetex
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 360mA
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 50V
	パッケージ型式 SC-88
	取付タイプ表面
	ピン数 6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 4.5Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Min 150°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 0.6nC
	順方向電圧 Vf 0.8V
	最大許容損失Pd 310mW
	動作温度 Max -55°C
	トランジスタ構成シングル
	幅 1.35 mm
	高さ 1mm
	規格 / 承認 J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, RoHS
	長さ 2.2mm
	1チップ当たりのエレメント数 1
	自動車規格 AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

1 DiodesZetex MOSFET シングル, タイプNチャンネル, 360 mA, 表面 50 V, 6-Pin エンハンスメント型, DMN53D0LDW-7 パッケージSC-88

￥3,000円を超える注文については、送料無料

NチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.

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