onsemi フォトカプラ, 表面実装, FOD8314R2

FOD8314T - 沿面距離とクリアランス距離は 8 mm 、絶縁距離は 0.4 mm で、信頼性の高い高電圧の絶縁を実現します
中出力 IGBT / MOSFET 向けの出力電流駆動能力： 1.0 A
–出力段で P チャネル MOSFET を使用することにより、電源レールに近い出力電圧スイングを実現します
最小コモンモード除去： 20 kV/ μ s
広い供給電圧範囲： 15 → 30 V
全動作温度範囲での高速スイッチング速度
最大伝搬遅延： 500 ns
最大パルス幅歪み： 300 ns
ヒステリシス付き低電圧ロックアウト（ UVLO ）
広い産業温度範囲： -40 → 100 ° C
AC及びブラシレスDCモータドライブ
産業用インバータ
無停電電源
誘導加熱
絶縁 IGBT / パワー MOSFET ゲートドライブ

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