Infineon 評価ボード, 評価ボード, DC-DCコンバータ, 産業用、電源 用, EVAL3K3WBIDIPSFBTOBO1

この評価ボードは、通信、バッテリ形成電源、産業用ロボット用途向けの3300 W双方向DC-DCコンバータ用の高効率な完全なInfineonシステムソリューションを導入しています。
Infineonの600 V CoolMOSTM CFD7スーパージャンクションMOSFET(ThinPAKパッケージ)は、最新で最高の性能を発揮する高速ボディダイオードデバイスです。低寄生パッケージと最適化されたレイアウトを組み合わせて、最小限のストレスで優れた性能を発揮します。このボードで紹介された革新的な冷却コンセプトにより、優れた性能を発揮します。
このボードは、バックモードで98 %、ブーストモードで97 %の効率を実現します。実現された電力密度は4.34 W/cm3 (71.19 W/インチ3)の範囲で、SMDパッケージと革新的なスタックマグネット構造によって実現されています。

Infineonの最新技術と組み合わせると、このDC-DCコンバータは、完全共振トポロジレベルのPSFB設計の実現性と高効率を実証します。
EVAL_3K3W_BIDI_PSFBは、PSFBトポロジは、従来のよく知られているトポロジの標準設計や構造を変更することなく、双方向DC-DCステージとして使用できることも示しています。これは、デジタル制御とXMCTMマイクロコントローラーによる制御技術の革新によって実現されます。

• 高効率PSFB
• 高パワー密度PSFB
• 双方向PSFB
• デジタル制御PSFB
• 新しい内蔵磁気コンセプト
• 新しいSMD冷却コンセプト

• Infineonの最新の高速ボディダイオードHV技術
• Infineonの最新のLV同期整流器テクノロジー
• PSFBの双方向機能(特許取得済み)
• 新しい内蔵磁気コンセプト
• 新しいSMD冷却コンセプト

• 600V CoolMOS™ CFD7 スーパージャンクションMOSFET (IPL60R075CFD7) 222-4912
• CoolSiC™ ショットキーダイオード 650V G6 (IDH08G65C6) 216-8382
• 800V CoolMOS™ スーパージャンクションMOSFET (IPU80R4K5P7) 222-4717
• スーパーSO-8パッケージ 150V OptiMOS™ 5 パワーMOSFET (BSC093N15NS5) 214-4325
• EiceDRIVER™ 2EDS絶縁ゲートドライバIC (2EDS8265H) 258-0627
• EiceDRIVER™ 2EDF絶縁ゲートドライバIC (2EDF7275F) 244-0940
• 擬似共振フライバックPWMコントローラ（ICE5QSAG）
• 中電力AFショットキーダイオード（BAT165） 249-6997
• DC-DCステップダウン電圧レギュレータ(IFX91041EJV33)

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