STMicroelectronics 電源スイッチIC 18-Pin, 供給電圧(Max):21 V, QFN
- RS品番:
- 330-242
- メーカー型番:
- STDRIVEG611QTR
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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| 10 - 99 | ￥505 |
| 100 - 499 | ￥466 |
| 500 - 999 | ￥431 |
| 1000 + | ￥388 |
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- RS品番:
- 330-242
- メーカー型番:
- STDRIVEG611QTR
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| 電源スイッチの種類 | ハイサイド | |
| 電源スイッチトポロジ | ハイサイド | |
| 動作供給電圧 Max | 21 V | |
| 最大動作電流 | 3.5mA | |
| パッケージタイプ | QFN | |
| ピン数 | 18 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
電源スイッチの種類 ハイサイド | ||
電源スイッチトポロジ ハイサイド | ||
動作供給電圧 Max 21 V | ||
最大動作電流 3.5mA | ||
パッケージタイプ QFN | ||
ピン数 18 | ||
- COO（原産国）:
- TH
STマイクロエレクトロニクスのGaNパワー・スイッチ用高耐圧高速ハーフブリッジ・ゲート・ドライバは、Nチャネル・エンハンスメント・モードGaN用の高耐圧ハーフブリッジ・ゲート・ドライバです。ハイサイド・ドライバ・セクションは、最大600Vの電圧レールに耐えるように設計されており、内蔵のブートストラップ・ダイオードによって簡単に供給することができる。大電流対応、優れた遅延マッチングによる短い伝搬遅延、LDO内蔵により、STDRIVEG611は高速GaN駆動に最適化されている。
ゲート駆動電圧6V用のハイサイドおよびローサイド・リニア・レギュレータ
高速ハイサイド起動時間 5 μs
45 ns 伝搬遅延 15 ns 最小出力パルス
高いスイッチング周波数（1 MHz以上）
600Vブートストラップダイオード内蔵
GaNハードスイッチング動作をフルサポート
スマートシャットダウン付き過電流検出用コンパレータ
VCC、VHS、VLSのUVLO機能
ロジック入力とシャットダウンピンを分離
過電流、過熱、UVLOレポート用フォルト・ピン
低消費モード用スタンバイ機能
高速ハイサイド起動時間 5 μs
45 ns 伝搬遅延 15 ns 最小出力パルス
高いスイッチング周波数（1 MHz以上）
600Vブートストラップダイオード内蔵
GaNハードスイッチング動作をフルサポート
スマートシャットダウン付き過電流検出用コンパレータ
VCC、VHS、VLSのUVLO機能
ロジック入力とシャットダウンピンを分離
過電流、過熱、UVLOレポート用フォルト・ピン
低消費モード用スタンバイ機能