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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	STMicroelectronics
	電源スイッチトポロジ	ハイサイド
	電源スイッチタイプ	ハイサイド
	プロダクトタイプ	電源スイッチIC
	スイッチオン抵抗 RdsOn	3.7Ω
	出力数	3
	入力数	4
	最小電源電圧	0.3V
	パッケージ型式	QFN
	最大電源電圧	21V
	ピン数	18
	動作温度 Min	-40°C
	動作電流	3.5mA
	動作温度 Max	125°C
	長さ	5mm
	高さ	1mm
	幅	4 mm
	規格 / 承認	RoHS
	自動車規格	なし
	シリーズ	STDRIVEG611

	すべて選択
	ブランド STMicroelectronics
	電源スイッチトポロジハイサイド
	電源スイッチタイプハイサイド
	プロダクトタイプ電源スイッチIC
	スイッチオン抵抗 RdsOn 3.7Ω
	出力数 3
	入力数 4
	最小電源電圧 0.3V
	パッケージ型式 QFN
	最大電源電圧 21V
	ピン数 18
	動作温度 Min -40°C
	動作電流 3.5mA
	動作温度 Max 125°C
	長さ 5mm
	高さ 1mm
	幅 4 mm
	規格 / 承認 RoHS
	自動車規格なし
	シリーズ STDRIVEG611

Datasheet - STDRIVEG611Q

COO（原産国）:: TH

STマイクロエレクトロニクスのGaNパワー・スイッチ用高耐圧高速ハーフブリッジ・ゲート・ドライバは、Nチャネル・エンハンスメント・モードGaN用の高耐圧ハーフブリッジ・ゲート・ドライバです。ハイサイド・ドライバ・セクションは、最大600Vの電圧レールに耐えるように設計されており、内蔵のブートストラップ・ダイオードによって簡単に供給することができる。大電流対応、優れた遅延マッチングによる短い伝搬遅延、LDO内蔵により、STDRIVEG611は高速GaN駆動に最適化されている。

ゲート駆動電圧6V用のハイサイドおよびローサイド・リニア・レギュレータ

高速ハイサイド起動時間 5 μs

伝搬遅延45 ns、最小出力パルス15 ns

高いスイッチング周波数（1 MHz以上）

600Vブートストラップダイオード内蔵

GaNハードスイッチング動作をフルサポート

スマートシャットダウン付き過電流検出用コンパレータ

VCC、VHS、VLSのUVLO機能

ロジック入力とシャットダウンピンを分離

過電流、過熱、UVLOレポート用フォルト・ピン

低消費モード用スタンバイ機能

STMicroelectronics 電源スイッチIC STDRIVEG611Q 4 18-Pin ハイサイド, QFN ハイサイド

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