onsemi PWMコントローラ IC 表面実装 8-Pin SOIC
- RS品番:
- 178-4354
- メーカー型番:
- NCP4306AAAZZZADR2G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
ボリュームディスカウント対象商品
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￥134,887.50
(税抜)
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2500 - 10000 | ￥53.955 | ￥134,888 |
| 12500 - 22500 | ￥52.978 | ￥132,445 |
| 25000 - 60000 | ￥52.00 | ￥130,000 |
| 62500 - 122500 | ￥51.022 | ￥127,555 |
| 125000 + | ￥50.045 | ￥125,113 |
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- RS品番:
- 178-4354
- メーカー型番:
- NCP4306AAAZZZADR2G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| 最大スイッチング周波数 | 1 MHz | |
| 出力電圧 | 11 V | |
| 出力電流 | 2 A 、 7 A | |
| 出力数 | 1 | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| パッケージタイプ | SOIC | |
| ピン数 | 8 | |
| 寸法 | 5 x 4 x 1.5mm | |
| 長さ | 5mm | |
| PWM コントローラタイプ | 2次側同期整流器 | |
| 幅 | 4mm | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 動作温度 Min | -40 °C | |
| 動作供給電圧 Max | 35 V | |
| 動作温度 Max | +125 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
最大スイッチング周波数 1 MHz | ||
出力電圧 11 V | ||
出力電流 2 A 、 7 A | ||
出力数 1 | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
パッケージタイプ SOIC | ||
ピン数 8 | ||
寸法 5 x 4 x 1.5mm | ||
長さ 5mm | ||
PWM コントローラタイプ 2次側同期整流器 | ||
幅 4mm | ||
高さ 1.5mm | ||
動作温度 Min -40 °C | ||
動作供給電圧 Max 35 V | ||
動作温度 Max +125 °C | ||
- COO（原産国）:
- PH
The NCP4306 is high performance driver tailored to control a synchronous rectification MOSFET in switch mode power supplies. Thanks to its high performance drivers and versatility, it can be used in various topologies such as DCM or CCM flyback, quasi resonant flyback, forward and half bridge resonant LLC.
Allows for proper timing of SR MOSFET turn on and turn off
Maximizes conduction time of the MOSFET to increase efficiency
Allows direct connection of CS input to MOSFET drain in flyback applications
Improves performance for applications working in deep CCM
Enters the IC into a low consumption standby mode
Prevents accidental MOSFET turn on or turn off due to ringing
Enhanced Operation for USB-PD Applications
Fast turn off of MOSFET for optimized conduction period
Increased stability coming in and out of Light Load
Wide output operating voltages
Maximizes conduction time of the MOSFET to increase efficiency
Allows direct connection of CS input to MOSFET drain in flyback applications
Improves performance for applications working in deep CCM
Enters the IC into a low consumption standby mode
Prevents accidental MOSFET turn on or turn off due to ringing
Enhanced Operation for USB-PD Applications
Fast turn off of MOSFET for optimized conduction period
Increased stability coming in and out of Light Load
Wide output operating voltages
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