STマイクロ, ショットキーダイオード ダイオード, シングル, 10 A, 1.2 kV, 表面, 3ピン, TO-263, AEC-Q101, AEC-Q101

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梱包形態
RS品番:
163-9785
メーカー型番:
STPSC10H12GY-TR
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

整流タイプ

ショットキーダイオード

プロダクトタイプ

ダイオード

ダイオード構成

シングル

最大連続 順方向電流(If)

10 A

ピーク逆反復電圧 (Vrrm)

1.2 kV

取付タイプ

表面

ピン数

3

パッケージ型式

TO-263

自動車規格

AEC-Q101, AEC-Q101

高さ

4.6 mm

長さ

10.4 mm

最大順方向電圧(Vf)

2.25 V

動作温度 (Max)

175 °C

動作温度 (Min)

-40 °C

ピーク非反復順方向サージ電流 (Ifsm)

420 A

ピーク逆電流（Ir）

400 μA

規格 / 承認

No

幅

9.35 mm

The SiC diode, available in TO-220AC and D²PAK, is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 1200 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature. Especially suited for use in PFC and secondary side applications, this ST SiC diode will boost the performance in hard switching conditions. This rectifier will enhance the performance of the targeted application. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases

No or negligible reverse recovery

Switching behavior independent of temperature

Robust high voltage periphery

PPAP capable

Operating Temp. from -40 °C to 175 °C

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