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半導体
メモリチップ・不揮発性メモリ・揮発性メモリ
SDRAM
SDRAM Infineon 64Mbit
RS品番:
181-8347
メーカー型番:
S27KS0641DPBHI020
メーカー/ブランド名:
Infineon
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RS品番:
181-8347
メーカー型番:
S27KS0641DPBHI020
メーカー/ブランド名:
Infineon
データシート
その他
詳細情報
仕様
Datasheet S27KS0641DPBHI020
データシート S27KS0641DPBHI020
RoHSステータス: 適合
3.0 V I/O 、 11 バス信号
シングルエンドクロック( CK )
1.8 V I/O 、 12 バス信号
差動クロック( CK 、 CK# )
チップ選択 (CS#)
8 ビットデータバス( DQ [7:0] )
読み取り / 書き込みデータストロボ( RWDS )
双方向データストロボ / マスク
すべてのトランザクションの開始時の出力。リフレッシュ遅延を示します
読み取りトランザクション中の出力を Read Data Strobe とします
書き込みトランザクション中に書き込みデータマスクとして入力します
RWDS DCARS タイミング
読み取りトランザクション中、 RWDS は 2 番目のクロックでオフセットされ、フェーズは CK からシフトされます
フェーズシフトクロックは、読み取りデータアイ内で RWDS 遷移エッジを移動するために使用されます
最大 333 MBps
Double Data Rate ( DDR ) - 1 クロックあたり 2 回のデータ転送
166 MHz クロックレート( 333 MBps ) @ 1.8 V VCC
100 MHz クロックレート( 200 MBps ) @ 3.0 V VCC
シーケンシャルバーストトランザクション
設定可能なバースト特性
ラップバースト長:
16 バイト( 8 クロック)
32 バイト( 16 クロック)
64 バイト( 32 クロック)
128 バイト( 64 クロック)
リニアバースト
ハイブリッドオプション - 1 つのラップされたバーストとそれに続くリニアバースト
各トランザクションで選択されたラップバーストタイプまたはリニアバーストタイプ
出力ドライブ強度を設定可能
低電力モード
ディープパワーダウン
パッケージ
24 ボール FBGA
特性
メモリサイズ
64Mbit
構成
8 M x 8ビット
データレート
333Mbit/s
データバス幅
8bit
1ワード当たりのビット数
8bit
最大ランダムアクセス時間
36ns
ワード数
8M
実装タイプ
表面実装
パッケージタイプ
FBGA
ピン数
24
寸法
8 x 6 x 0.8mm
高さ
0.8mm
長さ
8mm
動作供給電圧 Min
1.7 V
動作温度 Min
-40 °C
動作温度 Max
+85 °C
幅
6mm
動作供給電圧 Max
1.95 V
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