ISSI SRAM, 512 kB, 512K x 16, 非同期, 10 ns, 2.4 V ~ 3.6V, 44ピン, TSOP

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RS品番:
648-092
メーカー型番:
IS61WV51216BLL-10TLI
メーカー/ブランド名:
ISSI
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ブランド

ISSI

メモリサイズ

512kB

プロダクトタイプ

SRAM

ワード数

512K

1ワード当たりのビット数

16

最大ランダムアクセス時間

10ns

最小電源電圧

2.4V

タイミングタイプ

非同期

取付タイプ

表面

最大電源電圧

3.6V

動作温度 Min

-40°C

パッケージ型式

TSOP

ピン数

44

動作温度 Max

85°C

11.9mm

シリーズ

IS61WV51216BLL

長さ

18.54mm

高さ

0.15mm

供給電流

90mA

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN
ISSI高速非同期CMOS静的RAMは、ISSIの高性能CMOS技術を使用して製造された、512 Kワードx16ビットで構成された8 Mビットデバイスです。この信頼性の高いプロセスと高度な回路設計を組み合わせて、低消費電力で高性能を発揮します。チップイネーブルCEが高い場合、デバイスはスタンバイモードに入り、CMOS入力レベルにより電力損失を最小限に抑えます。

産業用および自動車用温度サポート

鉛フリーを用意

上部バイトと下部バイトのデータ制御

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