インフィニオン, SRAM, 4Mbit, 512 K x 8 ビット, 45ns, 32-Pin
- RS品番:
- 124-2941
- メーカー型番:
- CY62148ELL-55SXI
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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| 6 - 10 | ￥952.50 | ￥1,905 |
| 12 - 14 | ￥951.00 | ￥1,902 |
| 16 - 18 | ￥949.50 | ￥1,899 |
| 20 + | ￥948.50 | ￥1,897 |
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- RS品番:
- 124-2941
- メーカー型番:
- CY62148ELL-55SXI
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| メモリサイズ | 4Mbit | |
| 構成 | 512 K x 8 ビット | |
| ワード数 | 512k | |
| 1ワード当たりのビット数 | 8bit | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 45ns | |
| アドレスバス幅 | 8bit | |
| クロック周波数 | 1MHz | |
| ローパワー | あり | |
| タイミングタイプ | 非シンクロナス | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| パッケージタイプ | SOIC | |
| ピン数 | 32 | |
| 寸法 | 20.75 x 11.43 x 2.81mm | |
| 動作供給電圧 Max | 5.5 V | |
| 高さ | 2.81mm | |
| 幅 | 11.43mm | |
| 動作温度 Max | +85 °C | |
| 長さ | 20.75mm | |
| 動作温度 Min | -40 °C | |
| 動作供給電圧 Min | 4.5 V | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
メモリサイズ 4Mbit | ||
構成 512 K x 8 ビット | ||
ワード数 512k | ||
1ワード当たりのビット数 8bit | ||
最大ランダムアクセス時間 45ns | ||
アドレスバス幅 8bit | ||
クロック周波数 1MHz | ||
ローパワー あり | ||
タイミングタイプ 非シンクロナス | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
パッケージタイプ SOIC | ||
ピン数 32 | ||
寸法 20.75 x 11.43 x 2.81mm | ||
動作供給電圧 Max 5.5 V | ||
高さ 2.81mm | ||
幅 11.43mm | ||
動作温度 Max +85 °C | ||
長さ 20.75mm | ||
動作温度 Min -40 °C | ||
動作供給電圧 Min 4.5 V | ||
非同期マイクロパワー(MoBL) SRAMメモリ、Cypress Semiconductor
MoBL低消費電力SRAMメモリデバイスは効率が高く、業界をリードするスタンバイ電力損失(最大)の仕様に適合します。
超高速： 45 ns
電圧範囲： 4.5 → 5.5 V
CY62148B とピン互換です
超低スタンバイ電力
標準待機電流： 1 μ A
最大待機電流： 7 μ A ( 産業用 )
超低アクティブ電力
標準アクティブ電流： 2.0 mA @ f = 1 MHz
CE 及び OE 機能を使用してメモリを簡単に拡張できます
選択解除時に自動的に電源がオフになります
速度と電力を最適化する相補型金属酸化膜半導体（ CMOS ）です
鉛フリー 32 ピン薄型小型アウトラインパッケージ（ TSOP ） II 及び 32 ピン小型アウトライン統合回路（ SOIC ） [1] パッケージで提供されます
電圧範囲： 4.5 → 5.5 V
CY62148B とピン互換です
超低スタンバイ電力
標準待機電流： 1 μ A
最大待機電流： 7 μ A ( 産業用 )
超低アクティブ電力
標準アクティブ電流： 2.0 mA @ f = 1 MHz
CE 及び OE 機能を使用してメモリを簡単に拡張できます
選択解除時に自動的に電源がオフになります
速度と電力を最適化する相補型金属酸化膜半導体（ CMOS ）です
鉛フリー 32 ピン薄型小型アウトラインパッケージ（ TSOP ） II 及び 32 ピン小型アウトライン統合回路（ SOIC ） [1] パッケージで提供されます
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
SRAM (スタティックランダムアクセスメモリ)