Infineon SRAM, 8 MB, 512K x 16, 非同期, 2.20 V ～ 3.60V, 44ピン, TSOP II
- RS品番:
- 273-7346
- メーカー型番:
- CY62157EV30LL-45ZSXI
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 273-7346
- メーカー型番:
- CY62157EV30LL-45ZSXI
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| メモリサイズ | 8MB | |
| プロダクトタイプ | SRAM | |
| ワード数 | 512K | |
| 1ワード当たりのビット数 | 16 | |
| 最小電源電圧 | 2.20V | |
| タイミングタイプ | 非同期 | |
| 最大電源電圧 | 3.60V | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| パッケージ型式 | TSOP II | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 85°C | |
| ピン数 | 44 | |
| シリーズ | CY62157EV30 | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 長さ | 18.51mm | |
| 幅 | 1.19mm | |
| 高さ | 10.26mm | |
| 供給電流 | 35mA | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
メモリサイズ 8MB | ||
プロダクトタイプ SRAM | ||
ワード数 512K | ||
1ワード当たりのビット数 16 | ||
最小電源電圧 2.20V | ||
タイミングタイプ 非同期 | ||
最大電源電圧 3.60V | ||
取付タイプ 表面 | ||
パッケージ型式 TSOP II | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 85°C | ||
ピン数 44 | ||
シリーズ CY62157EV30 | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
長さ 18.51mm | ||
幅 1.19mm | ||
高さ 10.26mm | ||
供給電流 35mA | ||
Infineon CY62157EV30シリーズSRAM、8 MBメモリサイズ、ワードあたり16ビット - CY62157EV30LL-45ZSXI
このSRAMは、高速でバイトアドレス可能なデータ保持を必要とする用途向けに、表面実装TSOP IIパッケージで8 MBの揮発性パラレルストレージを提供します。幅広い電源範囲で非同期動作し、コンパクトな基板レベルの統合と予測可能な電力動作が重要なシステム向けに設計されています。
特長および利点：
• 2.2～3.6V電源により、柔軟なパワーレール設計をサポート
• 35mAの電源電流により、使用中のエネルギー消費を低減
• 512Kx16構成により、幅広い並列データ転送を実現
• 非同期タイミングにより、クロッキングなしで簡単に制御可能
• 44ピン表面実装により、高密度プリント基板の配置が容易
• 35mAの電源電流により、使用中のエネルギー消費を低減
• 512Kx16構成により、幅広い並列データ転送を実現
• 非同期タイミングにより、クロッキングなしで簡単に制御可能
• 44ピン表面実装により、高密度プリント基板の配置が容易
用途
• 制御システムのバッファメモリに最適
• 組み込みモジュールのファームウェアストレージに最適
• 拡張温度を必要とする産業用コントローラーと併用
• データ記録デバイスのキャッシュに使用可能
• 組み込みモジュールのファームウェアストレージに最適
• 拡張温度を必要とする産業用コントローラーと併用
• データ記録デバイスのキャッシュに使用可能
どのような供給電圧範囲をサポートしますか?
2.20V～3.60Vで動作し、さまざまなレールに対応します。
定格温度範囲は?
-40°C～85°Cの過酷な環境で使用できます。
このデバイスは、プリント基板組立用にどのようにパッケージされていますか?
自動配置用のTSOP II 44ピン表面実装パッケージで提供されます。
メモリ構成とワード幅はどのようなものですか?
配置は512Kワードx16ビットで、総容量は8MBです。
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