Infineon SRAM, 4 MB, 512K x 8, 非同期, 8 bit, 45 ns, 1 MHz, 4.5 V ~ 5.5V, 32ピン, SOIC

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RS品番:
181-7442
メーカー型番:
CY62148ELL-55SXIT
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

SRAM

メモリサイズ

4MB

ワード数

512K

1ワード当たりのビット数

8

最大ランダムアクセス時間

45ns

アドレスバス幅

8bit

最大クロック周波数

1MHz

タイミングタイプ

非同期

最小電源電圧

4.5V

最大電源電圧

5.5V

取付タイプ

表面

パッケージ型式

SOIC

動作温度 Min

-40°C

ピン数

32

動作温度 Max

85°C

シリーズ

CY62148E

長さ

20.75mm

高さ

2.81mm

規格 / 承認

No

幅

11.43mm

供給電流

20mA

自動車規格

なし

インフィニオン CY62148Eシリーズ SRAM、4MBのメモリ容量、最大クロック周波数:1MHz - CY62148ELL-55SXIT


組み込みシステムにおける高速・低遅延のデータ保存用に設計された静的メモリデバイスです。標準的な単一電源のデジタル環境で動作し、プリント基板アセンブリへの表面実装用に設計されています。このコンポーネントは、非同期の読み取り/書き込み動作をサポートし、中程度の容量と予測可能なアクセスタイミングを必要とする用途に適しています。

特長:


• 45nsのランダムアクセス時間により、予測可能なデータ取得を実現
• 最大1MHzのクロック周波数により、ポーリング時の消費電力を低減
• 4MBのメモリ構成により、大容量の揮発性メモリ容量を実現
• 4.5V~5.5Vの電源範囲により、標準的な5Vシステムとの互換性を実現
• 20mAの標準供給電流により、アイドル状態でのエネルギー消費を低減
• 32ピンSOICパッケージにより、コンパクトな基板レイアウトに対応

用途


• 産業用制御ユニットのバッファリングに最適
• 計装システムのデータ記録に最適
• コードシェーディング用にマイコンと併用
• レガシー映像機器のフレームバッファリングに使用可能
• 通信ゲートウェイでの一時データ保存に最適

動作時に対応できる温度範囲はどのくらいですか?


-40°C~85°Cで動作し、厳しい周囲環境での使用に適しています。

アドレス指定のための内部メモリは、どのように構成されていますか?


このデバイスは、8ビットのアドレスインターフェースを介してアクセスする、8ビット幅の512Kワードを備えています。

どのような実装フットプリントと実装方法が必要ですか?


長さ20.75 mm、幅11.43 mmの32ピンSOICパッケージで、表面実装用として提供されます。

設計において考慮すべき主な電気的制約は何ですか?


設計者は、非同期タイミング方式を考慮しながら、最大5.5 Vの電源電圧を遵守し、タイミングが45 nsのアクセス要件を満たしていることを確認する必要があります。

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