Infineon, SRAM 4Mbit, 512k x 8 CY7C1049GN-10VXI

CY7C1049GNは、512 Kワード x 8ビット構成の高性能CMOS高速スタティックRAMデバイスです。データ書き込みは、チップイネーブル(CE)入力と書き込みイネーブル(WE)入力をLOWにアサートし、データをI/O0～I/O7に、またアドレスをA0～A18ピンに入力することによって実行されます。データ読み取りは、チップイネーブル(CE)入力と出力イネーブル(OE)入力をLOWにアサートし、アドレスラインに必要なアドレスを入力することによって実行されます。読み取りデータには、I/Oライン(I/O0～I/O7)でアクセスできます。すべてのI/O (I/O0～I/O7)は、デバイスの選択解除(CE HIGH)及び制御信号OEのアサート解除のイベント発生時に高インピーダンス状態になります。

高速
tAA = 10 ns
低い有効電流及びスタンバイ電流
有効電流: ICC = 38 mA (標準)
スタンバイ電流: ISB2 = 6 mA (標準)
動作電圧範囲: 1.65 → 2.2 V、2.2 → 3.6 V、
4.5 → 5.5 V
データ保持: 1.0 V
TTL互換の入出力
鉛フリー36ピンSOJ及び44ピンTSOP IIパッケージ