インフィニオン, SRAM, 4Mbit, 512k x 8, 10ns
- RS品番:
- 182-3386
- メーカー型番:
- CY7C1049GN-10VXI
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
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- RS品番:
- 182-3386
- メーカー型番:
- CY7C1049GN-10VXI
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| メモリサイズ | 4Mbit | |
| 構成 | 512k x 8 | |
| ワード数 | 512k | |
| 1ワード当たりのビット数 | 8bit | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 10ns | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
メモリサイズ 4Mbit | ||
構成 512k x 8 | ||
ワード数 512k | ||
1ワード当たりのビット数 8bit | ||
最大ランダムアクセス時間 10ns | ||
- COO（原産国）:
- US
CY7C1049GNは、512 Kワード x 8ビット構成の高性能CMOS高速スタティックRAMデバイスです。データ書き込みは、チップイネーブル(CE)入力と書き込みイネーブル(WE)入力をLOWにアサートし、データをI/O0～I/O7に、またアドレスをA0～A18ピンに入力することによって実行されます。データ読み取りは、チップイネーブル(CE)入力と出力イネーブル(OE)入力をLOWにアサートし、アドレスラインに必要なアドレスを入力することによって実行されます。読み取りデータには、I/Oライン(I/O0～I/O7)でアクセスできます。すべてのI/O (I/O0～I/O7)は、デバイスの選択解除(CE HIGH)及び制御信号OEのアサート解除のイベント発生時に高インピーダンス状態になります。
高速
tAA = 10 ns
低い有効電流及びスタンバイ電流
有効電流: ICC = 38 mA (標準)
スタンバイ電流: ISB2 = 6 mA (標準)
動作電圧範囲: 1.65 → 2.2 V、2.2 → 3.6 V、4.5 → 5.5 V
データ保持: 1.0 V
TTL対応入出力
鉛フリー36ピンSOJ及び44ピンTSOP IIパッケージ
tAA = 10 ns
低い有効電流及びスタンバイ電流
有効電流: ICC = 38 mA (標準)
スタンバイ電流: ISB2 = 6 mA (標準)
動作電圧範囲: 1.65 → 2.2 V、2.2 → 3.6 V、4.5 → 5.5 V
データ保持: 1.0 V
TTL対応入出力
鉛フリー36ピンSOJ及び44ピンTSOP IIパッケージ
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。