ルネサス, SRAM 8Mbit, 512 k x 16, 44-Pin RMLV0816BGSB-4S2#AA0

RS品番:: 250-0194
メーカー型番:: RMLV0816BGSB-4S2#AA0
メーカー/ブランド名:: Renesas Electronics

ルネサス, SRAM 8Mbit, 512 k x 16, 44-Pin RMLV0816BGSB-4S2#AA0

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1 - 6	￥975.00
7 - 64	￥945.00
65 - 79	￥758.00
80 - 99	￥664.00
100 +	￥570.00

RS品番:: 250-0194
メーカー型番:: RMLV0816BGSB-4S2#AA0
メーカー/ブランド名:: Renesas Electronics

データシート

Datasheet - RMLV0816BGSB-4S2#AA0

その他

詳細情報

ルネサスエレクトロニクスの8 Mビット静的RAMは、高性能の先進のLPSRAMテクノロジーによって製造されています。高密度、高性能、低消費電力を実現しています。低スタンバイ消費電力を実現します。

均等なアクセスとサイクル時間、
データ入力と出力の共通化、
直接TTL対応、
バッテリバックアップ動作

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

仕様

特性
メモリサイズ	8Mbit
構成	512 k x 16
ワード数	512k
1ワード当たりのビット数	16bit
最大ランダムアクセス時間	45ns
ローパワー	あり
実装タイプ	表面実装
パッケージタイプ	TSOP
ピン数	44
寸法	18.41 x 10.16 x 1mm
動作供給電圧 Max	3.6 V
高さ	1mm
動作供給電圧 Min	2.4 V
長さ	18.41mm
動作温度 Max	+85 °C
動作温度 Min	-40 °C
幅	10.16mm

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