ルネサス エレクトロニクス, SRAM, 8Mbit, 1024 k x 8, 45ns, 44-Pin

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梱包形態
RS品番:
250-0192
メーカー型番:
RMLV0808BGSB-4S2#AA0
メーカー/ブランド名:
ルネサス エレクトロニクス
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ブランド

ルネサス エレクトロニクス

メモリサイズ

8Mbit

構成

1024 k x 8

ワード数

1024k

1ワード当たりのビット数

8bit

最大ランダムアクセス時間

45ns

ローパワー

あり

実装タイプ

表面実装

パッケージタイプ

TSOP

ピン数

44

寸法

18.41 x 10.16 x 1mm

高さ

1mm

動作供給電圧 Max

3.6 V

動作温度 Max

+85 °C

長さ

18.41mm

動作温度 Min

-40 °C

動作供給電圧 Min

2.4 V

10.16mm

ルネサスエレクトロニクスの8 Mビット静的RAMは、高密度、高性能、低消費電力を実現しています。低スタンバイ消費電力を実現します。

均等なアクセスとサイクル時間、
データ入力と出力の共通化、
直接TTL対応、
バッテリバックアップ動作

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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