ルネサス SRAM, 4 MB, 256k x 16, 45 ns, 44-Pin
- RS品番:
- 250-0189
- メーカー型番:
- RMLV0416EGSB-4S2#AA1
- メーカー/ブランド名:
- ルネサス エレクトロニクス
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 135 - 540 | ￥654.963 | ￥88,420 |
| 675 - 1215 | ￥648.40 | ￥87,534 |
| 1350 - 3240 | ￥635.437 | ￥85,784 |
| 3375 - 6615 | ￥622.726 | ￥84,068 |
| 6750 + | ￥610.222 | ￥82,380 |
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- RS品番:
- 250-0189
- メーカー型番:
- RMLV0416EGSB-4S2#AA1
- メーカー/ブランド名:
- ルネサス エレクトロニクス
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | ルネサス エレクトロニクス | |
| メモリサイズ | 4MB | |
| プロダクトタイプ | SRAM | |
| 構成 | 256k x 16 | |
| ワード数 | 256K | |
| 1ワード当たりのビット数 | 16 | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 45ns | |
| 最小電源電圧 | 2.7V | |
| 最大電源電圧 | 3.6V | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| パッケージ型式 | TSOP | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 85°C | |
| ピン数 | 44 | |
| 幅 | 10.16 mm | |
| 高さ | 1mm | |
| シリーズ | RMLV0416E | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 長さ | 18.41mm | |
| 供給電流 | 10mA | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド ルネサス エレクトロニクス | ||
メモリサイズ 4MB | ||
プロダクトタイプ SRAM | ||
構成 256k x 16 | ||
ワード数 256K | ||
1ワード当たりのビット数 16 | ||
最大ランダムアクセス時間 45ns | ||
最小電源電圧 2.7V | ||
最大電源電圧 3.6V | ||
取付タイプ 表面 | ||
パッケージ型式 TSOP | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 85°C | ||
ピン数 44 | ||
幅 10.16 mm | ||
高さ 1mm | ||
シリーズ RMLV0416E | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
長さ 18.41mm | ||
供給電流 10mA | ||
自動車規格 なし | ||
4 MbアドバンスドLPSRAM (256キロワード x 16ビット)
RMLV0416Eシリーズは、ルネサスの高性能アドバンスドLPSRAMテクノロジーによって製造された、262、144ワード x 16ビットの4 Mビット静的RAMファミリです。RMLV0416Eシリーズは、高密度、高性能、低消費電力を実現しています。RMLV0416Eシリーズは、低スタンバイ消費電力を備えているため、バッテリバックアップシステムに適しています。44ピンTSOP (II)又は48ボールファインピッチボールグリッドアレイで提供されます。