ルネサス エレクトロニクス, SRAM メモリ, 256kbit, 32 K x 8, 25ns

ルネサスエレクトロニクス非同期静的RAMは、262、144ビットの高速静的RAMで、32 K x 8として整理されています。 高性能で信頼性の高いCMOSテクノロジーを使用して製造されています。この最先端の技術は、革新的な回路設計技術と組み合わせて、高速メモリのコスト効果の高いソリューションを提供します。出力イネーブルピンは、最大6 nsで動作し、アドレスアクセス時間は最大12 nsです。この製品の双方向入力 / 出力はすべてTTL互換で、単一の5 V電源から動作します。完全静的な非同期回路を使用し、動作にクロックやリフレッシュが不要です。28ピン300 milプラスチックDIP、28ピン300 milプラスチックSOJ及びTSOPにパッケージされています。

32 K x 8の高度な高速CMOS静的RAM、商用(0 → 70 °C)及び産業用(-40 → 85 °C)の温度オプション、1つのチップを選択して1つの出力を実現、ピンの双方向データ入力及び出力を直接TTL互換、チップのディセレクトを除去することで低消費電力、28ピン300 mlプラスチックDIP、300 mlプラスチックSOJ及びTSOPパッケージで使用可能な商用製品、28ピン300 mlプラスチックSOJ及びTSOPパッケージで使用可能な産業用製品、産業用温度範囲(-40 → +85 °C)、選択した速度で使用可能なグリーン部品、注文情報を参照