ルネサス, SRAM 1MB, 256k x 16 71V416S12PHG
- RS品番:
- 263-7916
- メーカー型番:
- 71V416S12PHG
- メーカー/ブランド名:
- Renesas Electronics
在庫切れ
追加されました
単価： 購入単位は135 個
￥1,038.667
(税抜)
￥1,142.534
(税込)
| 個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
| 135 - 540 | ￥1,038.667 | ￥140,220.045 |
| 675 - 1215 | ￥1,017.889 | ￥137,415.015 |
| 1350 - 3240 | ￥997.533 | ￥134,666.955 |
| 3375 - 6615 | ￥977.585 | ￥131,973.975 |
| 6750 + | ￥958.037 | ￥129,334.995 |
| * 購入単位ごとの価格 | ||
- RS品番:
- 263-7916
- メーカー型番:
- 71V416S12PHG
- メーカー/ブランド名:
- Renesas Electronics
データシート
その他
- COO（原産国）:
- TW
詳細情報
ルネサスエレクトロニクスCMOS静的RAM 6は、64 K x 16として整理された高速静的RAMです。高性能で信頼性の高いCMOSテクノロジーを使用して製造されています。この最先端の技術は、革新的な回路設計技術と組み合わせて、高速メモリニーズに対するコスト効果の高いソリューションを提供します。RAMの双方向入力 / 出力はすべてTTL互換で、単一の5 V電源から動作します。完全静的な非同期回路を使用し、動作にクロックやリフレッシュが不要です。
1つのチップセレクト及び1つの出力イネーブルピン
双方向データ入力及び出力、TTLに直接対応
チップディセレクトによる低消費電力
上下バイトイネーブルピン
双方向データ入力及び出力、TTLに直接対応
チップディセレクトによる低消費電力
上下バイトイネーブルピン
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| メモリサイズ | 1MB |
| 構成 | 256k x 16 |
| ワード数 | 256k |
| 1ワード当たりのビット数 | 16bit |
| 最大ランダムアクセス時間 | 12ns |