ルネサス SRAM, 1 MB, 256k x 16, 12 ns, 44-Pin
- RS品番:
- 263-7916
- メーカー型番:
- 71V416S12PHG
- メーカー/ブランド名:
- ルネサス エレクトロニクス
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 135 - 540 | ￥1,083.489 | ￥146,271 |
| 675 - 1215 | ￥1,072.519 | ￥144,790 |
| 1350 - 3240 | ￥1,051.074 | ￥141,895 |
| 3375 - 6615 | ￥1,030.052 | ￥139,057 |
| 6750 + | ￥1,009.437 | ￥136,274 |
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- RS品番:
- 263-7916
- メーカー型番:
- 71V416S12PHG
- メーカー/ブランド名:
- ルネサス エレクトロニクス
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | ルネサス エレクトロニクス | |
| メモリサイズ | 1MB | |
| プロダクトタイプ | SRAM | |
| 構成 | 256k x 16 | |
| ワード数 | 256K | |
| 1ワード当たりのビット数 | 16 | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 12ns | |
| 最小電源電圧 | 3V | |
| タイミングタイプ | 非同期 | |
| 最大電源電圧 | 3.6V | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| パッケージ型式 | SOJ-44 | |
| 動作温度 Min | 0°C | |
| 動作温度 Max | 70°C | |
| ピン数 | 44 | |
| 高さ | 1mm | |
| 幅 | 10.16 mm | |
| シリーズ | IDT71V416 | |
| 長さ | 18.41mm | |
| 規格 / 承認 | JEDEC | |
| 自動車規格 | なし | |
| 供給電流 | 180mA | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド ルネサス エレクトロニクス | ||
メモリサイズ 1MB | ||
プロダクトタイプ SRAM | ||
構成 256k x 16 | ||
ワード数 256K | ||
1ワード当たりのビット数 16 | ||
最大ランダムアクセス時間 12ns | ||
最小電源電圧 3V | ||
タイミングタイプ 非同期 | ||
最大電源電圧 3.6V | ||
取付タイプ 表面 | ||
パッケージ型式 SOJ-44 | ||
動作温度 Min 0°C | ||
動作温度 Max 70°C | ||
ピン数 44 | ||
高さ 1mm | ||
幅 10.16 mm | ||
シリーズ IDT71V416 | ||
長さ 18.41mm | ||
規格 / 承認 JEDEC | ||
自動車規格 なし | ||
供給電流 180mA | ||
- COO（原産国）:
- TW
ルネサスエレクトロニクスCMOS静的RAM 6は、64 K x 16として整理された高速静的RAMです。高性能で信頼性の高いCMOSテクノロジーを使用して製造されています。この最先端の技術は、革新的な回路設計技術と組み合わせて、高速メモリニーズに対するコスト効果の高いソリューションを提供します。RAMの双方向入力 / 出力はすべてTTL互換で、単一の5 V電源から動作します。完全静的な非同期回路を使用し、動作にクロックやリフレッシュが不要です。
1つのチップセレクト及び1つの出力イネーブルピン
双方向データ入力及び出力、TTLに直接対応
チップディセレクトによる低消費電力
上下バイトイネーブルピン